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東芝推出第三代碳化硅MOSFET可降低開關損耗

時間:2023-09-06 08:01  來源:蓋世汽車  編輯:醉言   閱讀量:13650   

蓋世汽車訊 據外媒報道,東芝電子元件及存儲裝置株式會社推出采用有助于降低開關損耗4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET,即TWxxxZxxxC系列。該產品采用東芝最新的第三SiC MOSFET芯片,用于支持工業設備應用。該系列產品共有10款,其中5款額定電壓為650V,另外五款額定電壓為1200V,并均已開始批量出貨。

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