5月9日，全球領先的功率半導體供應商瑞能半導體攜其最新產品亮相在德國紐倫堡揭幕的PCIM Europe 2023。產品組合包含碳化硅器件，可控硅和功率二極管，高壓和低壓Si-MOSFET, IGBT，保護器件以及功率模塊，豐富的產品矩陣彰顯了瑞能半導體領先的產品實力和對未來電力電子行業可持續發展的思考，受到了與會者的高度關注。CEO Markus Mosen先生率領公司研發工程師、市場部、銷售部組成的參展團隊出席了活動現場。
PCIM Europe，即“紐倫堡電力電子系統及元器件展”，是歐洲電力電子及其應用領域、智能運動和電能質量最具影響力的展覽會，也是全球最大的功率半導體展會。
此次展會，瑞能半導體以“Powerefficiency for a cooler planet”為主題，在PCIM Europe的展臺呈現了最新技術的現場展示，包括了硅基、碳化硅的功率器件在充電樁、車載充電器的應用，在可再生能源市場的產品突破，并通過一系列的汽車級功率器件組合的展示，顯示了公司的產品在向著創造一個更干凈，更節能的應用方向邁進。
瑞能半導體CEO Markus Mosen先生表示:“聚焦當下市場火熱的可再生能源產業，瑞能半導體作為卓越的器件供應商，一直都在依托創新和優化產品設計來適應市場的變化，滿足客戶的需求。我們非常重視在PCIM Europe亮相的機會，進一步展示出瑞能技術的全新實踐應用。未來，我們將會持續推出有競爭力的產品，依靠我們強大的研發和應用團隊，將我們的豐富的功率產品整合為系統級的解決方案，來給我們客戶帶來更大的價值，更好的服務。”
不止于契合新能源汽車主流趨勢的汽車級產品和以耐高溫、耐高壓等優異特性著稱的碳化硅器件，作為功率半導體的領軍企業，瑞能半導體的多種功率器件組合都有著各自的優勢和特點。
在今年PCIM Europe展臺，瑞能半導體展示的1200V和1700V碳化硅MOSFETs就具備業內領先的FOM*QG)指數，安全的開啟電壓以及可靠的柵極氧化層設計，同時可以實現更加穩定的導通電阻高溫性能。得益于更高晶胞單位密度的先進工藝和優化的晶胞結構，MOSFET在導通電阻和柵極電荷特性方面能做到更好的平衡，降低變換器的損耗和器件溫升，提升變換效率。
第四代的650V快恢復二極管具有耐壓高，漏電流底，恢復速度快，抗雪崩能力強等特點，優化的終端設計以及先進的壽命控制技術，能有優秀的EMI性能表現以及國際一流的可靠性，已經被消費和工業類客戶廣泛采用，應用于開關電源，UPS，光伏以及儲能等終端應用中。
瑞能半導體的多層外延結構的SJ-MOSFET具有高耐壓，低內阻，優異的Rsp等特點，在提升功率密度的前提下，同時可以提供極低的開關損耗和優秀的電磁干擾能力(EMI),適合應用于開關電源，通訊電源，光伏于儲能以及汽車充電樁等應用中。
在可控硅產品解決方案的展示中，瑞能半導體重點突顯了其可控硅平面設計工藝的優勢，包括具備最大的150℃的工作結溫，低漏流和優秀的可靠性。特別強調的是，部分封裝通過了UL1557絕緣認證，高達2500V的隔離耐壓能力可以為用戶提供更高的安全保障。
“高效，可靠，創新”一直是瑞能半導體所保持和追求的目標，我們的發展愿景就是成為全球領先的功率半導體中國供應商，通過為客戶提供各種高度可靠、高性價比和勇于創新的功率半導體器件，讓客戶在具體應用中實現最佳效率。
在今年，瑞能半導體將持續專注產品投入，加速重點技術研發，實現全球業務上的穩定增長。特別是在經歷了外部市場和大環境變化等多重不確定性的考驗后，瑞能半導體會優化渠道布局，更加堅定不移地與客戶、合作伙伴攜手同行，將產品和技術的維度做深做強，不斷加快創新的發展步伐，拓展更多的市場空間，實現業務的欣欣向榮，共同塑造美好的未來。
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